Технологии FinFET нашли замену: СБИС переходят на техпроцесс 5 нм
Среди массово выпускаемых сверхбольших интегральных схем (СБИС) наиболее высокая степень интеграции в настоящее время достигнута в чипах, производимых по 10-нанометровой FinFET-технологии.
10-нанометровый предел был впервые преодолен в июле 2015 года компаниями, входящими в Research Alliance (IBM, Globalfoundries и Samsung), которые объявили о завершении разработки 7-нанометровой технологии производства СБИС, основанной на экстремальной ультрафиолетовой литографии (Extreme Ultraviolet, EUV). И вот тот же альянс сообщил на прошедшем в начале июня в Киото Симпозиуме по технологиям и схемам сверхвысокой интеграции об очередном своем достижении – создании 5-нанометровой технологии. В ней наряду с уже освоенным ранее процессом EUV внедрен разработанный инженерами Research Alliance техпроцесс выращивания транзисторов, содержащих в затворе несколько «нанослоев» кремния.
Процесс EUV-литографии предоставляет возможность непрерывного регулирования ширины нанослоев, благодаря чему можно осуществлять тонкую настройку производительности и энергопотребления транзисторами (FinFET-технология не позволяет осуществлять такую регулировку). В чипах стандартного размера, изготовленных по 10-нанометровой технологии, размещается 10-15 млрд транзисторов, по 7-нанометровой технологии – 20 млрд, по 5-нанометровой – 30 млрд. При этом 5-нанометровая технология может обеспечить повышение производительности на 40% при таком же энергопотреблении или снижение энергопотребления на 75% при той же производительности.
Внедрение 5-нанометровой технологии в промышленное производство планируется после коммерциализации 7-нанометрового техпроцесса, которая ожидается в следующем году. А самыми перспективными сферами 5-нанометровых чипов разработчики считают устройства IoT, искусственного интеллекта и виртуальной реальности. В обычных же смартфонах 5-нанометровые чипы смогут продлить интервалы между подзарядками аккумуляторов в 2-3 раза по сравнению с применяемыми сегодня 10-нанометровыми чипами.
Комментарии
Отправить комментарий