Экономичность производства гибких микросхем обеспечит «новая шелкография»

Экономичность производства гибких микросхем обеспечит «новая шелкография»

Одна из самых трудно решаемых на сегодняшний день технологических задач массового производства тонкопленочных гибких устройств носимой электроники, микро- и нанофотоники - нестабильность характеристик подложек из материалов с заданной двумерной структурой одноатомных слоев. И пока ее решение не найдено, о массовом производстве в этой сфере нечего и мечтать.


К каким только технологическим ухищрениям не прибегали материаловеды - результаты были далеки от требований, который могли бы удовлетворить промышленные компании. И вот недавно в двух авторитетных научных журналах - Nature Materials и Science - опубликованы статьи, описывающие уникальный метод мультипликации двумерных пленок арсенида галлия и нитрида галлия, используемых в гибкой электронике, который, по мнению специалистов, может «революционизировать» массовое производство гибких тонкопленочных микросхем.

Авторский коллектив этих статей впечатляет еще до ознакомления с сутью изобретенной технологии, свидетельствуя о высоком научно-технологическом потенциале команды исследователей, в которую вошли ученые Массачусетского технологического института, Виргинского университета, Техасского университета в Далласе, Военно-морской исследовательской лаборатории США и Китайско-французского института ядерной энергетики и технологий Университета Сунь Ятсена. Разработанная этой интернациональной командой технология «размножения» представлена в двух вариантах:
  • однослойном - с использованием в качестве «мультиплицирующего слоя» графена
  • многослойном, в котором последовательно «печатаются» друг над другом несколько двумерных слоев.
Оба варианта основаны на широко распространенном в полупроводниковом производстве процессе эпитаксии - наращивании на подложке пленки из газовой среды, в которой распылены молекулы, составляющие в конечном результате пленку с желаемым стехиометрическим составом.

Это решение было разработано в результате многолетних экспериментов с подложками из графена, которые привели к изобретению инновационной технологии «размножения» оригинальной структуры двумерного полупроводникового химического соединения, например, арсенида галлия. В результате огромного количества экспериментов, ученые установили, что если на подложку из двумерного арсенида галлия нанести слой графена, а затем с помощью процесса эпитаксии выращивать на нем из газовой среды пленку арсенида галлия, то «вторичный» слой окажется с тем же двумерным «рисунком», что и расположенный под графеном арсенид-галлиевый оригинал с тем же двумерным рисунком.

В традиционных технологиях изготовления двумерных арсенид-галлиевых (нитрид-галлиевых) микросхем процент «выхода годных» очень мал, что обуславливает неоправданно высокую себестоимость устройств. Но современный вариант «шелкографии», разработанный американскими и китайскими учеными, способен повысить «выход годных» не менее, чем на порядок. И о его внедрении в промышленное производство, которое реально наладить в течение не более двух лет, изобретатели уже ведут переговоры с крупнейшими производителями полупроводниковых устройств Японии, США и Южной Кореи.

Комментарии

Популярные сообщения